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三星稍早確定提前三個月完成基於LLP技術的8nm FinFET製程驗證,並且確認將繼續與Qualcomm合作。

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由於8nm製程一樣基於與10nm FinFET製程相同的LLP技術,因此整體產能與良率將可大幅提昇,同時相比10nm FinFET製程約可讓晶片體積縮減10%,並且降低10%電力功耗。



同時,在此次聲明再次獲得Qualcomm背書情況下,預期下一款Snapdragon高階處理器依然將由三星代工生產。就先前的說法,Qualcomm預計在年底前揭曉的新款處理器應該就是Snapdragon 845,而傳聞將恢復與台積電合作,並且以7nm FinFET製程、EUV (Extreme Ultraviolet,極紫光微影)技術,似乎可能用於明年計畫公布的Snapdragon 855。

但在三星聲明中,同時也強調目前已經著手布局7nm FinFET製程,因此即便台積電目前已經喊出進入7nm FinFET製程發展,若今年底準備推出的高階處理器仍以8nm FinFET製程為主,預計明年下半年推出的處理器是否交由台積電代工,似乎又很難說了。畢竟,若以目前與三星持續合作關係之下,難保會延續雙方現有合作。

不過,從三星、台積電等均先後進駐10nm以下製程發展,不禁再次想到Qualcomm日前回應說法,即使Intel處理器能往更小製程進展,本身處理器產品至少也會在製程技術領先至少一個世代以上。
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